AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM301C1 N-channel 30V 150A 1.7mΩ

AGM301C1

N-channel 30V 150A 1.7mΩ
Номер деталі
AGM301C1
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-220
Упаковка
Tube
Кількість упаковок
50
опис
Field effect transistor (MOSFET) type: N-channel drain-source voltage (Vdss): 30V continuous drain current (Id): 150A power (Pd): 130W on-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.7mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 99nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.6nF@15V ,Vds=30V Id=150A Rds=1.7mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 84711 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM301C1
AGM301C1 Електронні компоненти
AGM301C1 Продажі
AGM301C1 Постачальник
AGM301C1 Дистриб'ютор
AGM301C1 Таблиця даних
AGM301C1 Фотографії
AGM301C1 Ціна
AGM301C1 Пропозиція
AGM301C1 Найнижча ціна
AGM301C1 Пошук
AGM301C1 Закупівля
AGM301C1 Чіп