Зображення може бути репрезентативним. Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM301C1
N-channel 30V 150A 1.7mΩ
Номер деталі
AGM301C1
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-220
Упаковка
Tube
Кількість упаковок
50
опис
Field effect transistor (MOSFET) type: N-channel drain-source voltage (Vdss): 30V continuous drain current (Id): 150A power (Pd): 130W on-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.7mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 99nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.6nF@15V ,Vds=30V Id=150A Rds=1.7mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.