VBsemi (Wei Bi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
FDT434P-VB
P-channel 35V 6.2A
Номер деталі
FDT434P-VB
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
VBsemi (Wei Bi)
Інкапсуляція
SOT-223
Упаковка
taping
Кількість упаковок
2500
опис
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 66514 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
N-Channel 30V 6.3A N-Channel, 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor, 30V, 6.3A, 45mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 500V 2A Power MOSFET, N-Channel, UniFET II, Ultra FRFET, 500 V, 2 A, 3.0 Ω, SOT223
onsemi (Ansemi)
Ключові слова FDT434P-VB
FDT434P-VB Електронні компоненти
FDT434P-VB Продажі
FDT434P-VB Постачальник
FDT434P-VB Дистриб'ютор
FDT434P-VB Таблиця даних
FDT434P-VB Фотографії
FDT434P-VB Ціна
FDT434P-VB Пропозиція
FDT434P-VB Найнижча ціна
FDT434P-VB Пошук
FDT434P-VB Закупівля
FDT434P-VB Чіп