VBsemi (Wei Bi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
FQD10N20LTM-VB
N-channel 200V 10A
Номер деталі
FQD10N20LTM-VB
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
VBsemi (Wei Bi)
Інкапсуляція
TO-252
Упаковка
taping
Кількість упаковок
2500
опис
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 98939 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
P-Channel 60V 9.4A Power MOSFET, P-Channel, QFET, -60 V, -9.4 A, 185 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
N-Channel 200V 9A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 200 V, 9.0 A, 280 mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 60V 11A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
Ключові слова FQD10N20LTM-VB
FQD10N20LTM-VB Електронні компоненти
FQD10N20LTM-VB Продажі
FQD10N20LTM-VB Постачальник
FQD10N20LTM-VB Дистриб'ютор
FQD10N20LTM-VB Таблиця даних
FQD10N20LTM-VB Фотографії
FQD10N20LTM-VB Ціна
FQD10N20LTM-VB Пропозиція
FQD10N20LTM-VB Найнижча ціна
FQD10N20LTM-VB Пошук
FQD10N20LTM-VB Закупівля
FQD10N20LTM-VB Чіп