onsemi (Ansemi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
MJD41CT4G
NPN 100V 6A 6.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Номер деталі
MJD41CT4G
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
TO-252-2(DPAK)
Упаковка
taping
Кількість упаковок
2500
опис
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD41C (NPN) and MJD42C (PNP) are complementary devices.
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 93017 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова MJD41CT4G
MJD41CT4G Електронні компоненти
MJD41CT4G Продажі
MJD41CT4G Постачальник
MJD41CT4G Дистриб'ютор
MJD41CT4G Таблиця даних
MJD41CT4G Фотографії
MJD41CT4G Ціна
MJD41CT4G Пропозиція
MJD41CT4G Найнижча ціна
MJD41CT4G Пошук
MJD41CT4G Закупівля
MJD41CT4G Чіп