onsemi (Ansemi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
NSBC114EDXV6T1G 2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)

NSBC114EDXV6T1G

2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)
Номер деталі
NSBC114EDXV6T1G
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
SOT-563
Упаковка
taping
Кількість упаковок
4000
опис
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 74470 PCS
Контактна інформація
Ключові слова NSBC114EDXV6T1G
NSBC114EDXV6T1G Електронні компоненти
NSBC114EDXV6T1G Продажі
NSBC114EDXV6T1G Постачальник
NSBC114EDXV6T1G Дистриб'ютор
NSBC114EDXV6T1G Таблиця даних
NSBC114EDXV6T1G Фотографії
NSBC114EDXV6T1G Ціна
NSBC114EDXV6T1G Пропозиція
NSBC114EDXV6T1G Найнижча ціна
NSBC114EDXV6T1G Пошук
NSBC114EDXV6T1G Закупівля
NSBC114EDXV6T1G Чіп