VBsemi (Wei Bi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
NTMS10P02R2G-VB
P-channel 20V 13A
Номер деталі
NTMS10P02R2G-VB
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
VBsemi (Wei Bi)
Інкапсуляція
SO-8
Упаковка
taping
Кількість упаковок
4000
опис
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 52790 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
P-Channel 20V 8.8A Single P-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET, -20V, -10A, 14mΩ
onsemi (Ansemi)
P-Channel 30V 6.6A Power MOSFET -30V -11.4A 19 mΩ Single P-Channel SO-8
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 3.95A Single P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
Ключові слова NTMS10P02R2G-VB
NTMS10P02R2G-VB Електронні компоненти
NTMS10P02R2G-VB Продажі
NTMS10P02R2G-VB Постачальник
NTMS10P02R2G-VB Дистриб'ютор
NTMS10P02R2G-VB Таблиця даних
NTMS10P02R2G-VB Фотографії
NTMS10P02R2G-VB Ціна
NTMS10P02R2G-VB Пропозиція
NTMS10P02R2G-VB Найнижча ціна
NTMS10P02R2G-VB Пошук
NTMS10P02R2G-VB Закупівля
NTMS10P02R2G-VB Чіп