onsemi (Ansemi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
NXH100B120H3Q0PTG Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.

NXH100B120H3Q0PTG

Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Номер деталі
NXH100B120H3Q0PTG
Категорія
Power IC > Power Module
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
-
Упаковка
tray
Кількість упаковок
24
опис
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 66448 PCS
Контактна інформація
Ключові слова NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG Електронні компоненти
NXH100B120H3Q0PTG Продажі
NXH100B120H3Q0PTG Постачальник
NXH100B120H3Q0PTG Дистриб'ютор
NXH100B120H3Q0PTG Таблиця даних
NXH100B120H3Q0PTG Фотографії
NXH100B120H3Q0PTG Ціна
NXH100B120H3Q0PTG Пропозиція
NXH100B120H3Q0PTG Найнижча ціна
NXH100B120H3Q0PTG Пошук
NXH100B120H3Q0PTG Закупівля
NXH100B120H3Q0PTG Чіп