Зображення може бути репрезентативним. Деталі продукту див. у специфікаціях.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Номер деталі
NXH100B120H3Q0STG
Категорія
Power IC > Power Module
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
-
Упаковка
tray
Кількість упаковок
24
опис
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.