onsemi (Ansemi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
NXH100B120H3Q0STG Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.

NXH100B120H3Q0STG

Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Номер деталі
NXH100B120H3Q0STG
Категорія
Power IC > Power Module
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
-
Упаковка
tray
Кількість упаковок
24
опис
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 80099 PCS
Контактна інформація
Ключові слова NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Електронні компоненти
NXH100B120H3Q0STG Продажі
NXH100B120H3Q0STG Постачальник
NXH100B120H3Q0STG Дистриб'ютор
NXH100B120H3Q0STG Таблиця даних
NXH100B120H3Q0STG Фотографії
NXH100B120H3Q0STG Ціна
NXH100B120H3Q0STG Пропозиція
NXH100B120H3Q0STG Найнижча ціна
NXH100B120H3Q0STG Пошук
NXH100B120H3Q0STG Закупівля
NXH100B120H3Q0STG Чіп