PJSEMI (flat crystal micro)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
PJM10H01PSA
P-channel 100V 1A
Номер деталі
PJM10H01PSA
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
PJSEMI (flat crystal micro)
Інкапсуляція
SOT-23
Упаковка
taping
Кількість упаковок
3000
опис
Drain-source voltage (Vdss): -100V, continuous drain current (Id) (at 25°C): -1A, gate-source threshold voltage: -1~-2.5V@250uA, drain-source on-resistance: 0.65Ω @Vgs=-1A,-10V, maximum power dissipation (Ta=25°C): 0.5W, type: P-channel
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 91122 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова PJM10H01PSA
PJM10H01PSA Електронні компоненти
PJM10H01PSA Продажі
PJM10H01PSA Постачальник
PJM10H01PSA Дистриб'ютор
PJM10H01PSA Таблиця даних
PJM10H01PSA Фотографії
PJM10H01PSA Ціна
PJM10H01PSA Пропозиція
PJM10H01PSA Найнижча ціна
PJM10H01PSA Пошук
PJM10H01PSA Закупівля
PJM10H01PSA Чіп