HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SiS407DN-HXY
P-channel 20V 30A
Номер деталі
SiS407DN-HXY
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Інкапсуляція
DFN-8L(3x3)
Упаковка
taping
Кількість упаковок
5000
опис
P-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 30A, RDON on-resistance 15mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.4-1.0V,
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 96883 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова SiS407DN-HXY
SiS407DN-HXY Електронні компоненти
SiS407DN-HXY Продажі
SiS407DN-HXY Постачальник
SiS407DN-HXY Дистриб'ютор
SiS407DN-HXY Таблиця даних
SiS407DN-HXY Фотографії
SiS407DN-HXY Ціна
SiS407DN-HXY Пропозиція
SiS407DN-HXY Найнижча ціна
SiS407DN-HXY Пошук
SiS407DN-HXY Закупівля
SiS407DN-HXY Чіп