Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
BSZ013NE2LS5IATMA1

BSZ013NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
Номер деталі
BSZ013NE2LS5IATMA1
Виробник/бренд
Серія
OptiMOS™
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-PowerTDFN
Пакет пристроїв постачальника
PG-TSDSON-8-FL
Розсіювана потужність (макс.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
25V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
3400pF @ 12V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±16V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 24682 PCS
Контактна інформація
Ключові слова BSZ013NE2LS5IATMA1
BSZ013NE2LS5IATMA1 Електронні компоненти
BSZ013NE2LS5IATMA1 Продажі
BSZ013NE2LS5IATMA1 Постачальник
BSZ013NE2LS5IATMA1 Дистриб'ютор
BSZ013NE2LS5IATMA1 Таблиця даних
BSZ013NE2LS5IATMA1 Фотографії
BSZ013NE2LS5IATMA1 Ціна
BSZ013NE2LS5IATMA1 Пропозиція
BSZ013NE2LS5IATMA1 Найнижча ціна
BSZ013NE2LS5IATMA1 Пошук
BSZ013NE2LS5IATMA1 Закупівля
BSZ013NE2LS5IATMA1 Чіп