Купити Infineon Technologies BSZ018NE2LSATMA1 MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

BSZ018NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

Номер деталі

BSZ018NE2LSATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

OptiMOS™

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerTDFN

Пакет пристроїв постачальника

PG-TSDSON-8-FL

Розсіювана потужність (макс.)

2.1W (Ta), 69W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

25V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

39nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2800pF @ 12V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 52058 PCS

Контактна інформація