Купити Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3 MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Номер деталі

SI4100DY-T1-E3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Пакет пристроїв постачальника

8-SO

Розсіювана потужність (макс.)

2.5W (Ta), 6W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

6.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63 mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

20nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

600pF @ 50V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 26047 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC