Купити Vishay Siliconix SI4101DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SI4101DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Номер деталі

SI4101DY-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Пакет пристроїв постачальника

8-SO

Розсіювана потужність (макс.)

6W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

25.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

203nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

8190pF @ 15V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 16341 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC