Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SQ2301ES-T1_GE3

SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Номер деталі
SQ2301ES-T1_GE3
Виробник/бренд
Серія
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TA)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-236 (SOT-23)
Розсіювана потужність (макс.)
3W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
425pF @ 10V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 35739 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SQ2301ES-T1_GE3
SQ2301ES-T1_GE3 Електронні компоненти
SQ2301ES-T1_GE3 Продажі
SQ2301ES-T1_GE3 Постачальник
SQ2301ES-T1_GE3 Дистриб'ютор
SQ2301ES-T1_GE3 Таблиця даних
SQ2301ES-T1_GE3 Фотографії
SQ2301ES-T1_GE3 Ціна
SQ2301ES-T1_GE3 Пропозиція
SQ2301ES-T1_GE3 Найнижча ціна
SQ2301ES-T1_GE3 Пошук
SQ2301ES-T1_GE3 Закупівля
SQ2301ES-T1_GE3 Чіп