Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SQ2303ES-T1_GE3

SQ2303ES-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 30V SOT23
Номер деталі
SQ2303ES-T1_GE3
Виробник/бренд
Серія
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-236 (SOT-23)
Розсіювана потужність (макс.)
1.9W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
210pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 29678 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SQ2303ES-T1_GE3
SQ2303ES-T1_GE3 Електронні компоненти
SQ2303ES-T1_GE3 Продажі
SQ2303ES-T1_GE3 Постачальник
SQ2303ES-T1_GE3 Дистриб'ютор
SQ2303ES-T1_GE3 Таблиця даних
SQ2303ES-T1_GE3 Фотографії
SQ2303ES-T1_GE3 Ціна
SQ2303ES-T1_GE3 Пропозиція
SQ2303ES-T1_GE3 Найнижча ціна
SQ2303ES-T1_GE3 Пошук
SQ2303ES-T1_GE3 Закупівля
SQ2303ES-T1_GE3 Чіп