Купити Vishay Siliconix SQ2319ES-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SQ2319ES-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

Номер деталі

SQ2319ES-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Пакет пристроїв постачальника

SOT-23-3 (TO-236)

Розсіювана потужність (макс.)

3W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

40V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

4.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

16nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

620pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 28938 PCS

Контактна інформація