Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Номер деталі
SIS902DN-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® 1212-8 Dual
Потужність - Макс
15.4W
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® 1212-8 Dual
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Функція FET
Standard
Напруга відведення до джерела (Vdss)
75V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
186 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
175pF @ 38V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 20894 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIS902DN-T1-GE3
SIS902DN-T1-GE3 Електронні компоненти
SIS902DN-T1-GE3 Продажі
SIS902DN-T1-GE3 Постачальник
SIS902DN-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIS902DN-T1-GE3 Таблиця даних
SIS902DN-T1-GE3 Фотографії
SIS902DN-T1-GE3 Ціна
SIS902DN-T1-GE3 Пропозиція
SIS902DN-T1-GE3 Найнижча ціна
SIS902DN-T1-GE3 Пошук
SIS902DN-T1-GE3 Закупівля
SIS902DN-T1-GE3 Чіп