Купити Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIS903DN-T1-GE3

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Номер деталі

SIS903DN-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET® Gen III

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8 Dual

Потужність - Макс

2.6W (Ta), 23W (Tc)

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8 Dual

Тип FET

2 P-Channel (Dual)

Функція FET

Standard

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.1 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

42nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2565pF @ 10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 50677 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8