Купити Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIS932EDN-T1-GE3

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Номер деталі

SIS932EDN-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8 Dual

Потужність - Макс

2.6W (Ta), 23W (Tc)

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8 Dual

Тип FET

2 N-Channel (Dual)

Функція FET

Standard

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1000pF @ 15V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 15651 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8