AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM206AP AGM206AP

AGM206AP

AGM206AP
Номер деталі
AGM206AP
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
DFN3x3
Упаковка
taping
Кількість упаковок
5000
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 72W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.0mΩ@4.5V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.8nF@15V , Vds=20V Id=60A Rds=5.0mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 83666 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM206AP
AGM206AP Електронні компоненти
AGM206AP Продажі
AGM206AP Постачальник
AGM206AP Дистриб'ютор
AGM206AP Таблиця даних
AGM206AP Фотографії
AGM206AP Ціна
AGM206AP Пропозиція
AGM206AP Найнижча ціна
AGM206AP Пошук
AGM206AP Закупівля
AGM206AP Чіп