AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM2319EL P-channel 40V 4A 63mΩ

AGM2319EL

P-channel 40V 4A 63mΩ
Номер деталі
AGM2319EL
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
SOT-23
Упаковка
taping
Кількість упаковок
3000
опис
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 4A Power (Pd): 1.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 63mΩ@10V,5A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 11.8nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.553nF@20V Operating Temperature: -55℃~+150℃@( Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 83534 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM2319EL
AGM2319EL Електронні компоненти
AGM2319EL Продажі
AGM2319EL Постачальник
AGM2319EL Дистриб'ютор
AGM2319EL Таблиця даних
AGM2319EL Фотографії
AGM2319EL Ціна
AGM2319EL Пропозиція
AGM2319EL Найнижча ціна
AGM2319EL Пошук
AGM2319EL Закупівля
AGM2319EL Чіп