Зображення може бути репрезентативним. Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM2319EL
P-channel 40V 4A 63mΩ
Номер деталі
AGM2319EL
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
SOT-23
Упаковка
taping
Кількість упаковок
3000
опис
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 4A Power (Pd): 1.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 63mΩ@10V,5A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 11.8nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.553nF@20V Operating Temperature: -55℃~+150℃@( Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.