Зображення може бути репрезентативним. Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM20P07EL
AGM20P07EL
Номер деталі
AGM20P07EL
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
SOT-23-3
Упаковка
taping
Кількість упаковок
3000
опис
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 20V Continuous Drain current (Id): 6.5A Power (Pd): 1.7W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 16mΩ@4.5V, 4.1A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 7.8nC@4V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.980nF@4V ,Vds=20v Id=6.5A Rds= 16mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3encapsulation;
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.