AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM20P07EL AGM20P07EL

AGM20P07EL

AGM20P07EL
Номер деталі
AGM20P07EL
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
SOT-23-3
Упаковка
taping
Кількість упаковок
3000
опис
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 20V Continuous Drain current (Id): 6.5A Power (Pd): 1.7W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 16mΩ@4.5V, 4.1A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 7.8nC@4V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.980nF@4V ,Vds=20v Id=6.5A Rds= 16mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3encapsulation;
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 59795 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM20P07EL
AGM20P07EL Електронні компоненти
AGM20P07EL Продажі
AGM20P07EL Постачальник
AGM20P07EL Дистриб'ютор
AGM20P07EL Таблиця даних
AGM20P07EL Фотографії
AGM20P07EL Ціна
AGM20P07EL Пропозиція
AGM20P07EL Найнижча ціна
AGM20P07EL Пошук
AGM20P07EL Закупівля
AGM20P07EL Чіп