Купити AGM-Semi (core control source) AGM206MAP N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

AGM-Semi (core control source)

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

AGM206MAP

N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

Номер деталі

AGM206MAP

Категорія

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Виробник/бренд

AGM-Semi (core control source)

Інкапсуляція

PDFN3x3

Упаковка

taping

Кількість упаковок

5000

опис

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A Power (Pd): 3.0W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@4.5V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.31nF@10V ,Vds =20V Id=25A Rds=4.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 96912 PCS

Контактна інформація