Зображення може бути репрезентативним. Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM4025Q
AGM4025Q
Номер деталі
AGM4025Q
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
PDFN5x6
Упаковка
taping
Кількість упаковок
3000
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 110A Power (Pd): 73.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.2mΩ@10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 22.7nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.90nF@20V , Vds=40v Id=110A Rds=2.2mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.