Зображення може бути репрезентативним. Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM403DG
AGM403DG
Номер деталі
AGM403DG
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-252
Упаковка
taping
Кількість упаковок
2500
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 101A Power (Pd): 28W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.3mΩ@10V, 20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 13.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.842nF@20V, Vds=40v Id=101A Rds=2.3mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.