AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM403DG AGM403DG

AGM403DG

AGM403DG
Номер деталі
AGM403DG
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-252
Упаковка
taping
Кількість упаковок
2500
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 101A Power (Pd): 28W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.3mΩ@10V, 20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 13.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.842nF@20V, Vds=40v Id=101A Rds=2.3mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 64023 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM403DG
AGM403DG Електронні компоненти
AGM403DG Продажі
AGM403DG Постачальник
AGM403DG Дистриб'ютор
AGM403DG Таблиця даних
AGM403DG Фотографії
AGM403DG Ціна
AGM403DG Пропозиція
AGM403DG Найнижча ціна
AGM403DG Пошук
AGM403DG Закупівля
AGM403DG Чіп