AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM402C N-channel 40V 170A 2.3mΩ

AGM402C

N-channel 40V 170A 2.3mΩ
Номер деталі
AGM402C
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-220
Упаковка
Tube
Кількість упаковок
50
опис
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 170A Power (Pd): 250W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.3mΩ@ 10V, 40A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 73nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.14nF@20V , Vds=40V Id=170A Rds =2.3mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 90988 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM402C
AGM402C Електронні компоненти
AGM402C Продажі
AGM402C Постачальник
AGM402C Дистриб'ютор
AGM402C Таблиця даних
AGM402C Фотографії
AGM402C Ціна
AGM402C Пропозиція
AGM402C Найнижча ціна
AGM402C Пошук
AGM402C Закупівля
AGM402C Чіп