AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM403A1-KU
N-channel 40V 120A 2.7mΩ
Номер деталі
AGM403A1-KU
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
PDFN(5x6)
Упаковка
taping
Кількість упаковок
3000
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 120A Power (Pd): 105W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 20nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 3nF@15V Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 55499 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова AGM403A1-KU
AGM403A1-KU Електронні компоненти
AGM403A1-KU Продажі
AGM403A1-KU Постачальник
AGM403A1-KU Дистриб'ютор
AGM403A1-KU Таблиця даних
AGM403A1-KU Фотографії
AGM403A1-KU Ціна
AGM403A1-KU Пропозиція
AGM403A1-KU Найнижча ціна
AGM403A1-KU Пошук
AGM403A1-KU Закупівля
AGM403A1-KU Чіп