AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM40P30D
P-channel 40V 30A 25mΩ
Номер деталі
AGM40P30D
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-252
Упаковка
taping
Кількість упаковок
2500
опис
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 30A Power (Pd): 59W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 27nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.12nF@15V Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 92045 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова AGM40P30D
AGM40P30D Електронні компоненти
AGM40P30D Продажі
AGM40P30D Постачальник
AGM40P30D Дистриб'ютор
AGM40P30D Таблиця даних
AGM40P30D Фотографії
AGM40P30D Ціна
AGM40P30D Пропозиція
AGM40P30D Найнижча ціна
AGM40P30D Пошук
AGM40P30D Закупівля
AGM40P30D Чіп