AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM6014AP N-channel 60V 72A 4.3mΩ

AGM6014AP

N-channel 60V 72A 4.3mΩ
Номер деталі
AGM6014AP
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
PDFN3x3
Упаковка
taping
Кількість упаковок
5000
опис
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 72A Power (Pd): 54W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 4.3mΩ@ 10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 33nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.7nF@30V , Vds=60v Id=72A Rds=4.3 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 57948 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM6014AP
AGM6014AP Електронні компоненти
AGM6014AP Продажі
AGM6014AP Постачальник
AGM6014AP Дистриб'ютор
AGM6014AP Таблиця даних
AGM6014AP Фотографії
AGM6014AP Ціна
AGM6014AP Пропозиція
AGM6014AP Найнижча ціна
AGM6014AP Пошук
AGM6014AP Закупівля
AGM6014AP Чіп