Зображення може бути репрезентативним. Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM609D
AGM609D
Номер деталі
AGM609D
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-252
Упаковка
taping
Кількість упаковок
2500
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 62.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 6.5mΩ@10V, 30A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 52.1nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.1nF@30V , Vds=60v Id=60A Rds=6.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.