AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM609D AGM609D

AGM609D

AGM609D
Номер деталі
AGM609D
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-252
Упаковка
taping
Кількість упаковок
2500
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 62.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 6.5mΩ@10V, 30A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 52.1nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.1nF@30V , Vds=60v Id=60A Rds=6.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 64901 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM609D
AGM609D Електронні компоненти
AGM609D Продажі
AGM609D Постачальник
AGM609D Дистриб'ютор
AGM609D Таблиця даних
AGM609D Фотографії
AGM609D Ціна
AGM609D Пропозиція
AGM609D Найнижча ціна
AGM609D Пошук
AGM609D Закупівля
AGM609D Чіп