AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM605C N-channel 60V 80A 4.5mΩ

AGM605C

N-channel 60V 80A 4.5mΩ
Номер деталі
AGM605C
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-220C
Упаковка
Tube
Кількість упаковок
50
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 44.5nC@0V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.413nF@25V , Vds=60V Id=80A Rds=4.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 60983 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM605C
AGM605C Електронні компоненти
AGM605C Продажі
AGM605C Постачальник
AGM605C Дистриб'ютор
AGM605C Таблиця даних
AGM605C Фотографії
AGM605C Ціна
AGM605C Пропозиція
AGM605C Найнижча ціна
AGM605C Пошук
AGM605C Закупівля
AGM605C Чіп