Зображення може бути репрезентативним. Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM605C
N-channel 60V 80A 4.5mΩ
Номер деталі
AGM605C
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-220C
Упаковка
Tube
Кількість упаковок
50
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 44.5nC@0V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.413nF@25V , Vds=60V Id=80A Rds=4.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.