AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM608C N-channel 60V 90A 4.8mΩ

AGM608C

N-channel 60V 90A 4.8mΩ
Номер деталі
AGM608C
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
TO-220
Упаковка
Tube
Кількість упаковок
50
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 90A Power (Pd): 54W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 33nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.28nF@30V, Vds=60V Id=90A Rds=4.8mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 54180 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM608C
AGM608C Електронні компоненти
AGM608C Продажі
AGM608C Постачальник
AGM608C Дистриб'ютор
AGM608C Таблиця даних
AGM608C Фотографії
AGM608C Ціна
AGM608C Пропозиція
AGM608C Найнижча ціна
AGM608C Пошук
AGM608C Закупівля
AGM608C Чіп