AGM-Semi (core control source)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
AGM605Q N-channel 60V 58A 6.2mΩ

AGM605Q

N-channel 60V 58A 6.2mΩ
Номер деталі
AGM605Q
Категорія
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Виробник/бренд
AGM-Semi (core control source)
Інкапсуляція
DFN5x6
Упаковка
taping
Кількість упаковок
3000
опис
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 58A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.976nF@30V, Vds=60V Id=58A Rds=6.2mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 90367 PCS
Контактна інформація
Ключові слова AGM605Q
AGM605Q Електронні компоненти
AGM605Q Продажі
AGM605Q Постачальник
AGM605Q Дистриб'ютор
AGM605Q Таблиця даних
AGM605Q Фотографії
AGM605Q Ціна
AGM605Q Пропозиція
AGM605Q Найнижча ціна
AGM605Q Пошук
AGM605Q Закупівля
AGM605Q Чіп